Harwin Inc. - S2711-46R

KEY Part #: K7359491

S2711-46R Pryse (USD) [982367stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.03784
  • 1,900 pcs$0.03765
  • 3,800 pcs$0.03654
  • 5,700 pcs$0.03544
  • 9,500 pcs$0.03211
  • 13,300 pcs$0.03101
  • 47,500 pcs$0.02990
  • 95,000 pcs$0.02879

Onderdeel nommer:
S2711-46R
vervaardiger:
Harwin Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
SMT RFI CLIP 1900/TR TR. Specialized Cables SMT RFI MIDI CLIP NICKEL
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: RF-voorkant (LNA + PA), RFI en EMI - kontakte, vingers en pakkings, RF Diplexers, RFID-bykomstighede, RF-rigtingkoppelaar, RF-ontvanger-, sender- en senderontvanger-eenhede, RF-demoduleerders and RF-senders ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Harwin Inc. S2711-46R elektroniese komponente. S2711-46R kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir S2711-46R het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2711-46R Produkkenmerke

Onderdeel nommer : S2711-46R
vervaardiger : Harwin Inc.
beskrywing : SMT RFI CLIP 1900/TR TR
reeks : EZ BoardWare
Deelstatus : Active
tipe : Shield Finger
vorm : -
wydte : 0.090" (2.28mm)
lengte : 0.346" (8.79mm)
Hoogte : 0.140" (3.55mm)
materiaal : Copper Alloy
laag : Tin
Platering - dikte : 118.11µin (3.00µm)
Aanhegselmetode : Solder
Werkstemperatuur : -40°C ~ 125°C

U mag ook belangstel in
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.