Samsung Semiconductor - K4A4G085WE-BITD

KEY Part #: K7359580

[20168stuks Voorraad]


    Onderdeel nommer:
    K4A4G085WE-BITD
    vervaardiger:
    Samsung Semiconductor
    Gedetailleerde beskrywing:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    In voorraad
    Raklewe:
    Een jaar
    Chip van:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalings metode:
    Gestuur manier:
    Gesinskategorieë:
    KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: LPDDR4X, DDR4, HBM Aquabolt, GDDR5, MODULE, GDDR6, LPDDR5 and DDR3 ...
    Kompeterende voordeel:
    Ons spesialiseer in Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BITD elektroniese komponente. K4A4G085WE-BITD kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir K4A4G085WE-BITD het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WE-BITD Produkkenmerke

    Onderdeel nommer : K4A4G085WE-BITD
    vervaardiger : Samsung Semiconductor
    beskrywing : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    reeks : DDR4
    digtheid : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    spoed : 2666 Mbps
    Spanning : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    pakket : 78FBGA
    produk Status : Mass Production

    U mag ook belangstel in
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.