Murata Electronics North America - NFM18CC223R1C3D

KEY Part #: K7359501

NFM18CC223R1C3D Pryse (USD) [753596stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.04933
  • 4,000 pcs$0.04908
  • 8,000 pcs$0.04619
  • 12,000 pcs$0.04331
  • 28,000 pcs$0.04042

Onderdeel nommer:
NFM18CC223R1C3D
vervaardiger:
Murata Electronics North America
Gedetailleerde beskrywing:
CAP FEEDTHRU 0.022UF 16V 0603. Feed Through Capacitors 0603 0.022uF
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: bykomstighede, Kraglynfiltermodules, Monolitiese kristalle, Voer deur kondensators, Ferrietskywe en -borde, DSL-filters, Ferrietkerns - kabels en bedrading and Keramiekfilters ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Murata Electronics North America NFM18CC223R1C3D elektroniese komponente. NFM18CC223R1C3D kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir NFM18CC223R1C3D het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM18CC223R1C3D Produkkenmerke

Onderdeel nommer : NFM18CC223R1C3D
vervaardiger : Murata Electronics North America
beskrywing : CAP FEEDTHRU 0.022UF 16V 0603
reeks : EMIFIL®, NFM18
Deelstatus : Active
kapasitansie : 0.022µF
Verdraagsaamheid : ±20%
Spanning - gegradeer : 16V
huidige : 1A
GS-weerstand (DCR) (Max) : 50 mOhm
Werkstemperatuur : -55°C ~ 125°C
Insetverlies : -
Temperatuurkoëffisiënt : -
Graderings : -
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad
Grootte / afmeting : 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm)
Hoogte (maksimum) : 0.028" (0.70mm)
Draadgrootte : -

U mag ook belangstel in
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.