IS43TR81280BL-107MBL-TR Pryse (USD) [17164stuks Voorraad]
- 1 pcs$2.97664
- 2,000 pcs$2.96183
- Onderdeel nommer:
- IS43TR81280BL-107MBL-TR
- vervaardiger:
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Gedetailleerde beskrywing:
- IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA. DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
- Manufacturer's standard lead time:
- In voorraad
- Raklewe:
- Een jaar
- Chip van:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalings metode:
-
- Gestuur manier:
- Gesinskategorieë:
- KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Logika - Buffers, drywers, ontvangers, sender / on, Logika - multivibrators, Interface - Spraakopname en afspeel, PMIC - Spanningverwysing, Klok / tydsberekening - Klokgenerators, PLL's, fre, PMIC - OF beheerders, ideale diodes, Lineêr - analoog vermenigvuldigers, verdelers and Koppelvlak - enkodeerders, dekodeerders, omskakela ...
- Kompeterende voordeel:
- Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-107MBL-TR elektroniese komponente. IS43TR81280BL-107MBL-TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS43TR81280BL-107MBL-TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
IS43TR81280BL-107MBL-TR Produkkenmerke
Onderdeel nommer :
IS43TR81280BL-107MBL-TR
vervaardiger :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
beskrywing :
IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA
reeks :
-
Deelstatus :
Active
Geheue tipe :
Volatile
Geheue-formaat :
DRAM
tegnologie :
SDRAM - DDR3L
Geheue grootte :
1Gb (128M x 8)
Klokfrekwensie :
933MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy :
15ns
Toegangstyd :
20ns
Geheue-koppelvlak :
Parallel
Spanning - Toevoer :
1.283V ~ 1.45V
Werkstemperatuur :
0°C ~ 95°C (TC)
Monteringstipe :
Surface Mount
Pakket / saak :
78-TFBGA
Verskaffer toestelpakket :
78-TWBGA (8x10.5)
Jongste nuus
U mag ook belangstel in
-
-
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
Warm onderdele
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03