Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI6

KEY Part #: K937444

TH58BYG2S3HBAI6 Pryse (USD) [16879stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.25638
  • 10 pcs$2.04661
  • 25 pcs$2.00236
  • 50 pcs$1.99126

Onderdeel nommer:
TH58BYG2S3HBAI6
vervaardiger:
Toshiba Memory America, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Logika - Spesialiteitslogika, PMIC - Spanningsreguleerders - Lineêr + skakel, Spesiale klankdoel, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -beheerders, Interface - Spraakopname en afspeel, PMIC - Spanningsreguleerders - Spesiale doel, Lineêr - Versterkers - Klank and PMIC - vertoonbestuurders ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 elektroniese komponente. TH58BYG2S3HBAI6 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir TH58BYG2S3HBAI6 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI6 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : TH58BYG2S3HBAI6
vervaardiger : Toshiba Memory America, Inc.
beskrywing : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
reeks : Benand™
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND (SLC)
Geheue grootte : 4Gb (512M x 8)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 25ns
Toegangstyd : 25ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 67-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 67-VFBGA (6.5x8)

U mag ook belangstel in
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor