TH58BYG2S3HBAI6 Pryse (USD) [16879stuks Voorraad]
- 1 pcs$2.25638
- 10 pcs$2.04661
- 25 pcs$2.00236
- 50 pcs$1.99126
- Onderdeel nommer:
- TH58BYG2S3HBAI6
- vervaardiger:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Gedetailleerde beskrywing:
- IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
- Manufacturer's standard lead time:
- In voorraad
- Raklewe:
- Een jaar
- Chip van:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalings metode:
-
- Gestuur manier:
- Gesinskategorieë:
- KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Ingebed - DSP (digitale seinverwerkers), PMIC - Kontroleerders vir warm ruil, Spesiale klankdoel, Embedded - PLD's (programmeerbare logiese apparaat, Klok / tydsberekening - spesifieke toepassing, Data-verkryging - digitale na analoog-omskakelaars, Koppelvlak - enkodeerders, dekodeerders, omskakela and Lineêr - analoog vermenigvuldigers, verdelers ...
- Kompeterende voordeel:
- Ons spesialiseer in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6 elektroniese komponente. TH58BYG2S3HBAI6 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir TH58BYG2S3HBAI6 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
TH58BYG2S3HBAI6 Produkkenmerke
Onderdeel nommer :
TH58BYG2S3HBAI6
vervaardiger :
Toshiba Memory America, Inc.
beskrywing :
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
reeks :
Benand™
Deelstatus :
Active
Geheue tipe :
Non-Volatile
Geheue-formaat :
FLASH
tegnologie :
FLASH - NAND (SLC)
Geheue grootte :
4Gb (512M x 8)
Klokfrekwensie :
-
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy :
25ns
Toegangstyd :
25ns
Geheue-koppelvlak :
Parallel
Spanning - Toevoer :
1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe :
Surface Mount
Pakket / saak :
67-VFBGA
Verskaffer toestelpakket :
67-VFBGA (6.5x8)
Jongste nuus
U mag ook belangstel in
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
71321SA55JG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT
-
Warm onderdele
- MT48V8M32LFF5-10 IT TR
- AT25320AN-10SI-1.8-T
- AT24C11-10PI-2.7
- AT49F002T-90TC
- AT28C64E-20SI
- AT25256-10PC-1.8
- 24LC02BT-E/OT16KVAO
- MTFC64GAPALBH-AIT ES
- MT35XU512ABA1G12-0AUT
- W631GG6KB15J
- MTFC16GAKAEDQ-AIT
- CG6740ATT
- CY7C1061GN30-10BV1XI
- IS66WV51216DBLL-55BLI-TR
- IS65WV1288DBLL-45TLA3-TR
- IS61LPS25636A-200B2I-TR
- MTFC16GAPALNA-AIT ES TR
- IS49NLC36800-33B
- AS4C4M32S-6TINTR
- MTFC4GLVEA-0M WT TR
- 7140LA35P
- MTFC64GJTDN-4M IT
- W9412G6JH-5I
- MT29F32G08CBACAWP-IT:C
- CY7C1460SV25-250BZC
- IDT71V3577SA75BQ8
- IDT71V35761YSA183BQI
- 71V321L25TF
- 7134SA25P
- 71321LA35J
- 7130LA100J8
- 70V9289L12PRF
- 70V24L35J8
- 7008L25J8
- 7008L20JI8
- M95040-RMN6P
- IS61VPS102418A-250TQL-TR
- S25FL512SAGBHVC13
- S25FL128SAGBHIA13
- S29AL016J70TFM020