Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937513

AS4C16M32MSA-6BIN Pryse (USD) [17157stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.67064

Onderdeel nommer:
AS4C16M32MSA-6BIN
vervaardiger:
Alliance Memory, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Geheue, Ingebed - FPGA's (veldprogrammeerbare hekarray) me, Embedded - PLD's (programmeerbare logiese apparaat, PMIC - hekbestuurders, Interface - Spraakopname en afspeel, PMIC - V / F en F / V-omskakelaars, Embedded - FPGA's (Veldprogrammeerbare hekarray) and Koppelvlak - gespesialiseerd ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6BIN elektroniese komponente. AS4C16M32MSA-6BIN kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir AS4C16M32MSA-6BIN het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MSA-6BIN Produkkenmerke

Onderdeel nommer : AS4C16M32MSA-6BIN
vervaardiger : Alliance Memory, Inc.
beskrywing : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - Mobile SDRAM
Geheue grootte : 512Mb (16M x 32)
Klokfrekwensie : 166MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 5.4ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 90-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 90-FBGA (8x13)

U mag ook belangstel in
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor