Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939718

TC58NYG1S3HBAI6 Pryse (USD) [26323stuks Voorraad]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770

Onderdeel nommer:
TC58NYG1S3HBAI6
vervaardiger:
Toshiba Memory America, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Embedded - FPGA's (Veldprogrammeerbare hekarray), Ingebed - DSP (digitale seinverwerkers), Ingebed - FPGA's (veldprogrammeerbare hekarray) me, Lineêre - Versterkers - Instrumentasie, OP-verster, Logika - Hekke en omsetters - Multifunksioneel, in, Lineêre - Versterkers - Video-versterkers en -modu, Interface - Spraakopname en afspeel and Klok / tydsberekening - vertragingslyne ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG1S3HBAI6 elektroniese komponente. TC58NYG1S3HBAI6 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir TC58NYG1S3HBAI6 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG1S3HBAI6 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : TC58NYG1S3HBAI6
vervaardiger : Toshiba Memory America, Inc.
beskrywing : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND (SLC)
Geheue grootte : 2Gb (256M x 8)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 25ns
Toegangstyd : 25ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 67-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 67-VFBGA (6.5x8)

U mag ook belangstel in
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM