ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32800J-6BLI-TR

KEY Part #: K936918

IS42S32800J-6BLI-TR Pryse (USD) [15407stuks Voorraad]

  • 1 pcs$3.31621
  • 2,500 pcs$3.29971

Onderdeel nommer:
IS42S32800J-6BLI-TR
vervaardiger:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Koppelvlak - filters - aktief, Koppelvlak - CODEC's, PMIC - LED drywers, Geheue - batterye, Klok / tydsberekening - Klokgenerators, PLL's, fre, PMIC - Kontroleerders vir warm ruil, Logika - Hekke en omsetters - Multifunksioneel, in and Logika - Vertalers, vlakverskuiwers ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BLI-TR elektroniese komponente. IS42S32800J-6BLI-TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS42S32800J-6BLI-TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S32800J-6BLI-TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IS42S32800J-6BLI-TR
vervaardiger : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
beskrywing : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM
Geheue grootte : 256Mb (8M x 32)
Klokfrekwensie : 166MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : 5.4ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 3V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 90-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 90-TFBGA (8x13)

U mag ook belangstel in
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8