Onderdeel nommer :
IGLD60R070D1AUMA1
vervaardiger :
Infineon Technologies
beskrywing :
IC GAN FET 600V 60A 8SON
tegnologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) :
600V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C :
15A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs :
-
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Kragdissipasie (maksimum) :
114W (Tc)
Werkstemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe :
Surface Mount
Verskaffer toestelpakket :
PG-LSON-8-1
Pakket / saak :
8-LDFN Exposed Pad