Vishay Siliconix - SISH112DN-T1-GE3

KEY Part #: K6411678

SISH112DN-T1-GE3 Pryse (USD) [132616stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.27891

Onderdeel nommer:
SISH112DN-T1-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, Diodes - Veranderlike kapasiteit (Varicaps, Varact, Transistors - VOO's, MOSFET'e - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Transistors - JFET's, Diodes - gelykriglyne, Diodes - RF and Transistors - programmeerbare eenheid ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SISH112DN-T1-GE3 elektroniese komponente. SISH112DN-T1-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SISH112DN-T1-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH112DN-T1-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SISH112DN-T1-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 30V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 11.3A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Vgs (maksimum) : ±12V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 2610pF @ 15V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 1.5W (Tc)
Werkstemperatuur : -50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / saak : PowerPAK® 1212-8SH

U mag ook belangstel in