Micron Technology Inc. - EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

KEY Part #: K936833

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Pryse (USD) [15176stuks Voorraad]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,100 pcs$3.01935

Onderdeel nommer:
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: PMIC - energiemeting, Geheue, Logika - Buffers, drywers, ontvangers, sender / on, Logika - Skuifregisters, Klok / tydsberekening - Klokbuffers, drywers, PMIC - Kragbestuur - Gespesialiseerd, PMIC - Laserdrywers and Ingebed - Mikrobeheerders - spesifieke toepassings ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D elektroniese komponente. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir EDB1332BDBH-1DAAT-F-D het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Produkkenmerke

Onderdeel nommer : EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Geheue grootte : 1Gb (32M x 32)
Klokfrekwensie : 533MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.14V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 105°C (TC)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 134-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 134-VFBGA (10x11.5)

U mag ook belangstel in
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16