Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR

KEY Part #: K939410

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR Pryse (USD) [25024stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.00029
  • 1,000 pcs$1.99034

Onderdeel nommer:
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash SLC 2G 256MX8 TSOP
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: PMIC - PFC (Kragfaktorkorreksie), PMIC - Battery Management, Klok / tydsberekening - IC-batterye, Lineêre - Versterkers - Instrumentasie, OP-verster, PMIC - RMS na DC-omskakelaars, Embedded - FPGA's (Veldprogrammeerbare hekarray), PMIC - voedingsbeheerders, monitors and Klok / tydsberekening - Intydse horlosies ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR elektroniese komponente. MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND
Geheue grootte : 2Gb (256M x 8)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 2.7V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Verskaffer toestelpakket : 48-TSOP I

U mag ook belangstel in
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.