As u plek nie gelys is nie, kies een van die volgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

As u plek nie gelys is nie, kies een van die volgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. huis
  2. produkte
  3. Geïntegreerde stroombane (IC's)
  4. Geheue
  5. TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI4

KEY Part #: K938204

TC58BYG1S3HBAI4 Pryse (USD) [19544stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.34452
Onderdeel nommer:
TC58BYG1S3HBAI4
vervaardiger:
Toshiba Memory America, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Embedded - System On Chip (SoC), Logika - multivibrators, Ingebed - Mikrobeheerders - spesifieke toepassings, Geheue - konfigurasie-proms vir FPGA's, PMIC - Spanningsreguleerders - Spesiale doel, Logika - Hekke en omsetters - Multifunksioneel, in, Ingebed - Mikrobeheerder, mikroverwerker, FPGA-mod and PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -beheerders ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI4 elektroniese komponente. TC58BYG1S3HBAI4 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir TC58BYG1S3HBAI4 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI4 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : TC58BYG1S3HBAI4
vervaardiger : Toshiba Memory America, Inc.
beskrywing : 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
reeks : Benand™
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND (SLC)
Geheue grootte : 2Gb (256M x 8)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 25ns
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : -
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 63-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 63-TFBGA (9x11)

Jongste nuus

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
U mag ook belangstel in
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

Warm onderdele