Infineon Technologies - BSZ900N20NS3GATMA1

KEY Part #: K6419676

BSZ900N20NS3GATMA1 Pryse (USD) [124617stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.29681

Onderdeel nommer:
BSZ900N20NS3GATMA1
vervaardiger:
Infineon Technologies
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - IGBT's - modules, Diodes - Veranderlike kapasiteit (Varicaps, Varact, Kragbestuurder-modules, Tyristors - TRIAC's, Diodes - Zener - Enkel, Diodes - RF, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF and Transistors - IGBT's - Enkel ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Infineon Technologies BSZ900N20NS3GATMA1 elektroniese komponente. BSZ900N20NS3GATMA1 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir BSZ900N20NS3GATMA1 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ900N20NS3GATMA1 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : BSZ900N20NS3GATMA1
vervaardiger : Infineon Technologies
beskrywing : MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
reeks : OptiMOS™
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 200V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 15.2A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 11.6nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±20V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 62.5W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : PG-TSDSON-8
Pakket / saak : 8-PowerTDFN

U mag ook belangstel in