Vishay Siliconix - SIA778DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524864

SIA778DJ-T1-GE3 Pryse (USD) [3689stuks Voorraad]

  • 3,000 pcs$0.09104

Onderdeel nommer:
SIA778DJ-T1-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - Zener - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET's - skikkings, Tyristors - SCR's, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, vooraf-be, Kragbestuurder-modules, Diodes - RF and Transistors - JFET's ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SIA778DJ-T1-GE3 elektroniese komponente. SIA778DJ-T1-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SIA778DJ-T1-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA778DJ-T1-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SIA778DJ-T1-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Obsolete
VOO-tipe : 2 N-Channel (Dual)
VOO-funksie : Logic Level Gate
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 12V, 20V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 15nC @ 8V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 6V
Krag - Maks : 6.5W, 5W
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Verskaffer toestelpakket : PowerPAK® SC-70-6 Dual