Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Pryse (USD) [19516stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.34790

Onderdeel nommer:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Logika - grendels, Gespesialiseerde IC's, Interface - Direkte digitale sintese (DDS), Koppelvlak - Analoog skakelaars - Spesiale doel, Geheue - beheerders, Interface - Spraakopname en afspeel, Lineêre - Versterkers - Spesiale doel and Koppelvlak - seinbuffers, herhalers, splitsers ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR elektroniese komponente. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
reeks : Automotive, AEC-Q100
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND
Geheue grootte : 2Gb (128M x 16)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 105°C (TA)
Monteringstipe : -
Pakket / saak : -
Verskaffer toestelpakket : -

U mag ook belangstel in
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)