Micron Technology Inc. - MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

KEY Part #: K906792

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Pryse (USD) [867stuks Voorraad]

  • 1 pcs$59.50738

Onderdeel nommer:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 32G 2133MHZ. DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Geheue, PMIC - energiemeting, Lineêr - Versterkers - Klank, Koppelvlak - drywers, ontvangers, sender / ontvang, Interface - Sensor- en detector-koppelvlakke, Klok / tydsberekening - Klokgenerators, PLL's, fre, Klok / tydsberekening - IC-batterye and PMIC - OF beheerders, ideale diodes ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR elektroniese komponente. MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC DRAM 32G 2133MHZ
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - Mobile LPDDR4
Geheue grootte : 32Gb (512M x 64)
Klokfrekwensie : 2133MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : -
Spanning - Toevoer : 1.1V
Werkstemperatuur : -30°C ~ 85°C (TC)
Monteringstipe : -
Pakket / saak : -
Verskaffer toestelpakket : -

U mag ook belangstel in
  • IS49RL18320-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory,576M Common I/O,1066Mhz

  • IS49RL36160-093EBLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA. DRAM RLDRAM3 Memory, 576M Common I/O, 1066Mhz

  • DS1265W-100IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 3.3V 8M NV SRAM

  • DS1265Y-70IND+

    Maxim Integrated

    IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP. NVRAM 8M NV SRAM

  • IS61VF204836B-7.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS

  • IS61NVP204836B-166TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP. SRAM 72Mb, 7.5ns, 2.5v 2M x 36 Sync SRAM