Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ST110S12P2V

KEY Part #: K6458762

VS-ST110S12P2V Pryse (USD) [976stuks Voorraad]

  • 1 pcs$47.54903
  • 25 pcs$45.28478

Onderdeel nommer:
VS-ST110S12P2V
vervaardiger:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Gedetailleerde beskrywing:
SCR 1200V 175A TO-94. SCRs Thyristors - TO-83/94 COM RD-e3
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - Veranderlike kapasiteit (Varicaps, Varact, Transistors - VOO's, MOSFET's - skikkings, Tyristors - SCR's - modules, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Diodes - Zener - Enkel, Tyristors - DIAC's, SIDAC's and Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, voor-bevooroo ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST110S12P2V elektroniese komponente. VS-ST110S12P2V kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir VS-ST110S12P2V het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ST110S12P2V Produkkenmerke

Onderdeel nommer : VS-ST110S12P2V
vervaardiger : Vishay Semiconductor Diodes Division
beskrywing : SCR 1200V 175A TO-94
reeks : -
Deelstatus : Active
Spanning - aftoestand : 1.2kV
Spanning - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
Stroom - Gate Trigger (Igt) (Max) : 150mA
Spanning - Aan staat (Vtm) (Max) : 1.52V
Huidig ​​- Op staat (Dit (AV)) (Max) : 110A
Huidig ​​- Op staat (Dit (RMS)) (Max) : 175A
Stroom - Hou (Ih) (Maks) : 600mA
Huidige - afstaat (maksimum) : 20mA
Stroom - Nie herhalingstog 50, 60Hz (Itsm) : 2270A, 2380A
SCR Tipe : Standard Recovery
Werkstemperatuur : -40°C ~ 125°C
Monteringstipe : Chassis, Stud Mount
Pakket / saak : TO-209AC, TO-94-4, Stud
Verskaffer toestelpakket : TO-209AC (TO-94)

U mag ook belangstel in
  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS16WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR