Taiwan Semiconductor Corporation - S3B M6G

KEY Part #: K6458196

S3B M6G Pryse (USD) [948493stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.03900

Onderdeel nommer:
S3B M6G
vervaardiger:
Taiwan Semiconductor Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - programmeerbare eenheid, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Diodes - gelykriglyne, Tyristors - SCR's, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Diodes - Zener - Enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, vooraf-be and Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Taiwan Semiconductor Corporation S3B M6G elektroniese komponente. S3B M6G kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir S3B M6G het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3B M6G Produkkenmerke

Onderdeel nommer : S3B M6G
vervaardiger : Taiwan Semiconductor Corporation
beskrywing : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
reeks : -
Deelstatus : Not For New Designs
Diode tipe : Standard
Spanning - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Huidige - Gemiddelde gelyk (Io) : 3A
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.15V @ 3A
spoed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Omgekeerde hersteltyd (trr) : 1.5µs
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 5µA @ 100V
Kapasiteit @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : DO-214AB, SMC
Verskaffer toestelpakket : DO-214AB (SMC)
Bedryfstemperatuur - aansluiting : -55°C ~ 150°C

U mag ook belangstel in
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in