Onderdeel nommer :
SIS106DN-T1-GE3
vervaardiger :
Vishay Siliconix
beskrywing :
MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-
reeks :
TrenchFET® Gen IV
tegnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) :
60V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C :
9.8A (Ta), 16A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
18.5 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 30V
Kragdissipasie (maksimum) :
3.2W (Ta), 24W (Tc)
Werkstemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe :
Surface Mount
Verskaffer toestelpakket :
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / saak :
PowerPAK® 1212-8S