Vishay Siliconix - SIZ920DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523891

SIZ920DT-T1-GE3 Pryse (USD) [4014stuks Voorraad]

  • 3,000 pcs$0.33301

Onderdeel nommer:
SIZ920DT-T1-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - Zener - Enkel, Diodes - Zener - Arrays, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Transistors - IGBT's - modules, Tyristors - SCR's, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, vooraf-be, Transistors - IGBT's - Enkel and Transistors - Bipolêr (BJT) - RF ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 elektroniese komponente. SIZ920DT-T1-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SIZ920DT-T1-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ920DT-T1-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SIZ920DT-T1-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Obsolete
VOO-tipe : 2 N-Channel (Half Bridge)
VOO-funksie : Standard
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 30V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 35nC @ 10V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 1260pF @ 15V
Krag - Maks : 39W, 100W
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 8-PowerWDFN
Verskaffer toestelpakket : 8-PowerPair® (6x5)