ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

IS46R16160F-5BLA1-TR Pryse (USD) [19375stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.63707
  • 2,500 pcs$2.62395

Onderdeel nommer:
IS46R16160F-5BLA1-TR
vervaardiger:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: PMIC - Motordrywers, beheerders, Dataverwerwing - digitale potensiometers, Interface - Modems - IC's en modules, PMIC - Power Over Ethernet (PoE) -beheerders, PMIC - Spanningsreguleerders - DC DC skakelaars, Koppelvlak - seinbuffers, herhalers, splitsers, Logika - Vertalers, vlakverskuiwers and Gespesialiseerde IC's ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR elektroniese komponente. IS46R16160F-5BLA1-TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS46R16160F-5BLA1-TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1-TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IS46R16160F-5BLA1-TR
vervaardiger : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
beskrywing : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - DDR
Geheue grootte : 256Mb (16M x 16)
Klokfrekwensie : 200MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 700ps
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 2.3V ~ 2.7V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 60-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 60-TFBGA (13x8)

U mag ook belangstel in
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)