ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

Gedetailleerde beskrywing:: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R

Gesinskategorieë:: KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Interface - Spraakopname en afspeel, PMIC - toesighouers, Gespesialiseerde IC's, Logika - multivibrators, Dataverkryging - Analoog na digitale omskakelaars , Dataverwerwing - digitale potensiometers, Klok / tydsberekening - vertragingslyne and Ingebed - FPGA's (veldprogrammeerbare hekarray) me ...

Kompeterende voordeel:: Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR elektroniese komponente. IS46R16160F-5BLA1-TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS46R16160F-5BLA1-TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com

Onderdeel nommer : IS46R16160F-5BLA1-TR

vervaardiger : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

beskrywing : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

reeks : -

Deelstatus : Active

Geheue tipe : Volatile

Geheue-formaat : DRAM

tegnologie : SDRAM - DDR

Geheue grootte : 256Mb (16M x 16)

Klokfrekwensie : 200MHz

Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns

Toegangstyd : 700ps

Geheue-koppelvlak : Parallel

Spanning - Toevoer : 2.3V ~ 2.7V

Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)

Monteringstipe : Surface Mount

Pakket / saak : 60-TFBGA

Verskaffer toestelpakket : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

U mag ook belangstel in

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Warm onderdele