Microsemi Corporation - JANTXV1N6317US

KEY Part #: K6479705

JANTXV1N6317US Pryse (USD) [200stuks Voorraad]

  • 1 pcs$221.50260

Onderdeel nommer:
JANTXV1N6317US
vervaardiger:
Microsemi Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE ZENER 5.1V 500MW B-SQ MELF.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - IGBT's - skikkings, Diodes - gelykriglyne, Diodes - Zener - Enkel, Transistors - IGBT's - modules, Diodes - Zener - Arrays, Tyristors - DIAC's, SIDAC's, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF and Diodes - gelykrigters - enkel ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Microsemi Corporation JANTXV1N6317US elektroniese komponente. JANTXV1N6317US kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir JANTXV1N6317US het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6317US Produkkenmerke

Onderdeel nommer : JANTXV1N6317US
vervaardiger : Microsemi Corporation
beskrywing : DIODE ZENER 5.1V 500MW B-SQ MELF
reeks : Military, MIL-PRF-19500/533
Deelstatus : Discontinued at Digi-Key
Spanning - Zener (Nom) (Vz) : 5.1V
Verdraagsaamheid : ±5%
Krag - Maks : 500mW
Impedansie (Max) (Zzt) : 1300 Ohms
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 5µA @ 2V
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.4V @ 1A
Werkstemperatuur : -65°C ~ 175°C
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : SQ-MELF, B
Verskaffer toestelpakket : B, SQ-MELF

U mag ook belangstel in
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA