Microsemi Corporation - JAN1N4956D

KEY Part #: K6479747

JAN1N4956D Pryse (USD) [5114stuks Voorraad]

  • 1 pcs$10.39875
  • 100 pcs$10.34702

Onderdeel nommer:
JAN1N4956D
vervaardiger:
Microsemi Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - gelykriglyne, Transistors - JFET's, Transistors - IGBT's - Enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Transistors - IGBT's - skikkings, Tyristors - DIAC's, SIDAC's, Tyristors - SCR's - modules and Diodes - gelykrigters - skikkings ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Microsemi Corporation JAN1N4956D elektroniese komponente. JAN1N4956D kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir JAN1N4956D het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4956D Produkkenmerke

Onderdeel nommer : JAN1N4956D
vervaardiger : Microsemi Corporation
beskrywing : DIODE ZENER 8.2V 5W AXIAL
reeks : Military, MIL-PRF-19500/356
Deelstatus : Active
Spanning - Zener (Nom) (Vz) : 8.2V
Verdraagsaamheid : ±1%
Krag - Maks : 5W
Impedansie (Max) (Zzt) : 1.5 Ohms
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 50µA @ 6.2V
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.5V @ 1A
Werkstemperatuur : -65°C ~ 175°C
Monteringstipe : Through Hole
Pakket / saak : E, Axial
Verskaffer toestelpakket : E, Axial

U mag ook belangstel in
  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR