Onderdeel nommer :
IPD65R650CEATMA1
vervaardiger :
Infineon Technologies
beskrywing :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
tegnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) :
650V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs :
23nC @ 10V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
VOO-funksie :
Super Junction
Kragdissipasie (maksimum) :
86W (Tc)
Werkstemperatuur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe :
Surface Mount
Verskaffer toestelpakket :
PG-TO252-3
Pakket / saak :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63