Vishay Siliconix - SI8800EDB-T2-E1

KEY Part #: K6418556

SI8800EDB-T2-E1 Pryse (USD) [541461stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.06865
  • 3,000 pcs$0.06831

Onderdeel nommer:
SI8800EDB-T2-E1
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - IGBT's - skikkings, Diodes - Zener - Arrays, Tyristors - SCR's - modules, Transistors - JFET's, Transistors - programmeerbare eenheid, Transistors - IGBT's - modules, Diodes - Zener - Enkel and Diodes - gelykriglyne ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 elektroniese komponente. SI8800EDB-T2-E1 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SI8800EDB-T2-E1 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8800EDB-T2-E1 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SI8800EDB-T2-E1
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 20V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : -
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 8.3nC @ 8V
Vgs (maksimum) : ±8V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : -
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 500mW (Ta)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : 4-Microfoot
Pakket / saak : 4-XFBGA, CSPBGA