Alliance Memory, Inc. - AS4C8M16SA-6BANTR

KEY Part #: K940188

AS4C8M16SA-6BANTR Pryse (USD) [28417stuks Voorraad]

  • 1 pcs$1.61254
  • 2,500 pcs$1.54535

Onderdeel nommer:
AS4C8M16SA-6BANTR
vervaardiger:
Alliance Memory, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Logika - Sein skakelaars, multiplexers, dekodeerde, PMIC - Spanningsreguleerders - Lineêr + skakel, Logika - Universele busfunksies, Lineêr - analoog vermenigvuldigers, verdelers, Lineêre - Versterkers - Video-versterkers en -modu, PMIC - Beligting, ballasbeheerders, Koppelvlak - Telecom and PMIC - Spanningsreguleerders - Lineêre reguleerder ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6BANTR elektroniese komponente. AS4C8M16SA-6BANTR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir AS4C8M16SA-6BANTR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M16SA-6BANTR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : AS4C8M16SA-6BANTR
vervaardiger : Alliance Memory, Inc.
beskrywing : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
reeks : Automotive, AEC-Q100
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM
Geheue grootte : 128Mb (8M x 16)
Klokfrekwensie : 166MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 12ns
Toegangstyd : 5ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 3V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 105°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 54-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 54-TFBGA (8x8)

U mag ook belangstel in
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,