ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216EALL-55TLI

KEY Part #: K937783

IS62WV51216EALL-55TLI Pryse (USD) [18065stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.75138
  • 135 pcs$2.73769

Onderdeel nommer:
IS62WV51216EALL-55TLI
vervaardiger:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gedetailleerde beskrywing:
IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Klok / tydsberekening - Klokgenerators, PLL's, fre, PMIC - Spanningverwysing, Geheue, Spesiale klankdoel, Embedded - PLD's (programmeerbare logiese apparaat, Dataverwerwing - ADC's / DAC's - Spesiale doel, Gespesialiseerde IC's and PMIC - Laserdrywers ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55TLI elektroniese komponente. IS62WV51216EALL-55TLI kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS62WV51216EALL-55TLI het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS62WV51216EALL-55TLI Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IS62WV51216EALL-55TLI
vervaardiger : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
beskrywing : IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : SRAM
tegnologie : SRAM - Asynchronous
Geheue grootte : 8Mb (512K x 16)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 55ns
Toegangstyd : 55ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.65V ~ 2.2V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Verskaffer toestelpakket : 44-TSOP II

U mag ook belangstel in
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C