Vishay Siliconix - SI7123DN-T1-GE3

KEY Part #: K6417820

SI7123DN-T1-GE3 Pryse (USD) [203660stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.18161
  • 3,000 pcs$0.17054

Onderdeel nommer:
SI7123DN-T1-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - Spesiale doel, Diodes - gelykriglyne, Transistors - IGBT's - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Diodes - Zener - Enkel, Tyristors - DIAC's, SIDAC's, Transistors - JFET's and Transistors - programmeerbare eenheid ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SI7123DN-T1-GE3 elektroniese komponente. SI7123DN-T1-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SI7123DN-T1-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7123DN-T1-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SI7123DN-T1-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Obsolete
VOO-tipe : P-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 20V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 10.2A (Ta)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 90nC @ 4.5V
Vgs (maksimum) : ±8V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 3729pF @ 10V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 1.5W (Ta)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : PowerPAK® 1212-8
Pakket / saak : PowerPAK® 1212-8

U mag ook belangstel in