GeneSiC Semiconductor - GB100XCP12-227

KEY Part #: K6532798

Gesinskategorieë:: KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Diodes - gelykrigters - skikkings, Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, voor-bevooroo, Kragbestuurder-modules, Transistors - VOO's, MOSFET'e - Enkel, Transistors - Spesiale doel, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF and Transistors - IGBT's - skikkings ...

Kompeterende voordeel:: Ons spesialiseer in GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 elektroniese komponente. GB100XCP12-227 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir GB100XCP12-227 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com

Onderdeel nommer : GB100XCP12-227

vervaardiger : GeneSiC Semiconductor

beskrywing : IGBT 1200V 100A SOT-227

reeks : -

Deelstatus : Obsolete

IGBT-tipe : PT

opset : Single

Spanning - Verdeling van versamelaaruitstoot (maksimum) : 1200V

Stroom - Versamelaar (IK) (Maks) : 100A

Krag - Maks : -

Vce (aan) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 100A

Stroom - Versneller van versamelaar (maksimum) : 1mA

Invoerkapasiteit (Cies) @ Vce : 8.55nF @ 25V

insette : Standard

NTC Thermistor : No

Werkstemperatuur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstipe : Chassis Mount

Pakket / saak : SOT-227-4

Verskaffer toestelpakket : SOT-227

U mag ook belangstel in

VS-GB90SA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
VS-GB90DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
VS-GB75NA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

Warm onderdele