ON Semiconductor - FQP6N80C

KEY Part #: K6392731

FQP6N80C Pryse (USD) [41564stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.94072
  • 1,000 pcs$0.32459

Onderdeel nommer:
FQP6N80C
vervaardiger:
ON Semiconductor
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - RF, Tyristors - TRIAC's, Transistors - Spesiale doel, Kragbestuurder-modules, Transistors - programmeerbare eenheid, Transistors - JFET's, Diodes - gelykriglyne and Transistors - Bipolêr (BJT) - RF ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in ON Semiconductor FQP6N80C elektroniese komponente. FQP6N80C kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir FQP6N80C het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP6N80C Produkkenmerke

Onderdeel nommer : FQP6N80C
vervaardiger : ON Semiconductor
beskrywing : MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
reeks : QFET®
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 800V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±30V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 25V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 158W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Through Hole
Verskaffer toestelpakket : TO-220-3
Pakket / saak : TO-220-3

U mag ook belangstel in