Onderdeel nommer :
GA20JT12-247
vervaardiger :
GeneSiC Semiconductor
beskrywing :
TRANS SJT 1.2KV 20A
tegnologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) :
1200V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, vgs :
70 mOhm @ 20A
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs :
-
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Kragdissipasie (maksimum) :
282W (Tc)
Werkstemperatuur :
175°C (TJ)
Monteringstipe :
Through Hole
Verskaffer toestelpakket :
TO-247AB