Vishay Siliconix - SI1050X-T1-GE3

KEY Part #: K6418445

SI1050X-T1-GE3 Pryse (USD) [498647stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Onderdeel nommer:
SI1050X-T1-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - VOO's, MOSFET'e - Enkel, Transistors - IGBT's - modules, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Diodes - gelykrigters - skikkings, Diodes - RF, Transistors - IGBT's - skikkings, Transistors - programmeerbare eenheid and Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 elektroniese komponente. SI1050X-T1-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SI1050X-T1-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1050X-T1-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SI1050X-T1-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
reeks : TrenchFET®
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 8V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 1.34A (Ta)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 11.6nC @ 5V
Vgs (maksimum) : ±5V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 4V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 236mW (Ta)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : SC-89-6
Pakket / saak : SOT-563, SOT-666

U mag ook belangstel in