Micron Technology Inc. - MT47H64M8SH-25E AIT:H

KEY Part #: K938190

MT47H64M8SH-25E AIT:H Pryse (USD) [19486stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.36328
  • 1,518 pcs$2.35152

Onderdeel nommer:
MT47H64M8SH-25E AIT:H
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM DDR2 512M 64MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Koppelvlak - modules, Koppelvlak - gespesialiseerd, Logika - Sein skakelaars, multiplexers, dekodeerde, PMIC - OF beheerders, ideale diodes, PMIC - PFC (Kragfaktorkorreksie), PMIC - Batterye, Interface - Sensor- en detector-koppelvlakke and Klok / tydsberekening - IC-batterye ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AIT:H elektroniese komponente. MT47H64M8SH-25E AIT:H kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir MT47H64M8SH-25E AIT:H het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H64M8SH-25E AIT:H Produkkenmerke

Onderdeel nommer : MT47H64M8SH-25E AIT:H
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
reeks : -
Deelstatus : Last Time Buy
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - DDR2
Geheue grootte : 512Mb (64M x 8)
Klokfrekwensie : 400MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 400ps
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.9V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 95°C (TC)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 60-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 60-FBGA (10x18)

U mag ook belangstel in
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)