IXYS - IXTH10N100D

KEY Part #: K6413247

IXTH10N100D Pryse (USD) [9160stuks Voorraad]

  • 1 pcs$4.97381
  • 30 pcs$4.94906

Onderdeel nommer:
IXTH10N100D
vervaardiger:
IXYS
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Tyristors - TRIAC's, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Diodes - gelykriglyne, Transistors - Spesiale doel, Transistors - programmeerbare eenheid, Tyristors - SCR's - modules, Tyristors - DIAC's, SIDAC's and Tyristors - SCR's ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in IXYS IXTH10N100D elektroniese komponente. IXTH10N100D kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IXTH10N100D het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH10N100D Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IXTH10N100D
vervaardiger : IXYS
beskrywing : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
reeks : -
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 1000V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±30V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
VOO-funksie : Depletion Mode
Kragdissipasie (maksimum) : 400W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Through Hole
Verskaffer toestelpakket : TO-247 (IXTH)
Pakket / saak : TO-247-3

U mag ook belangstel in