Microsemi Corporation - JAN1N4979C

KEY Part #: K6479730

JAN1N4979C Pryse (USD) [6394stuks Voorraad]

  • 1 pcs$6.44453
  • 100 pcs$5.76876

Onderdeel nommer:
JAN1N4979C
vervaardiger:
Microsemi Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE ZENER 75V 5W AXIAL. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - IGBT's - modules, Tyristors - TRIAC's, Transistors - programmeerbare eenheid, Kragbestuurder-modules, Diodes - gelykrigters - enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel and Tyristors - DIAC's, SIDAC's ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Microsemi Corporation JAN1N4979C elektroniese komponente. JAN1N4979C kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir JAN1N4979C het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4979C Produkkenmerke

Onderdeel nommer : JAN1N4979C
vervaardiger : Microsemi Corporation
beskrywing : DIODE ZENER 75V 5W AXIAL
reeks : Military, MIL-PRF-19500/356
Deelstatus : Active
Spanning - Zener (Nom) (Vz) : 75V
Verdraagsaamheid : ±2%
Krag - Maks : 5W
Impedansie (Max) (Zzt) : 55 Ohms
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 2µA @ 56V
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.5V @ 1A
Werkstemperatuur : -65°C ~ 175°C
Monteringstipe : Through Hole
Pakket / saak : E, Axial
Verskaffer toestelpakket : E, Axial

U mag ook belangstel in
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA