Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D1A-5TANTR

KEY Part #: K939958

AS4C32M16D1A-5TANTR Pryse (USD) [27552stuks Voorraad]

  • 1 pcs$1.66314

Onderdeel nommer:
AS4C32M16D1A-5TANTR
vervaardiger:
Alliance Memory, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 512m, 2.5V, 200Mhz 32M x 16 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Interface - sensor, kapasitiewe aanraking, PMIC - Spanningsreguleerders - DC DC skakelaars, Lineêr - Versterkers - Klank, Gespesialiseerde IC's, Koppelvlak - filters - aktief, PMIC - LED drywers, Ingebed - Mikrobeheerders - spesifieke toepassings and Koppelvlak - drywers, ontvangers, sender / ontvang ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1A-5TANTR elektroniese komponente. AS4C32M16D1A-5TANTR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir AS4C32M16D1A-5TANTR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D1A-5TANTR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : AS4C32M16D1A-5TANTR
vervaardiger : Alliance Memory, Inc.
beskrywing : IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
reeks : Automotive, AEC-Q100
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - DDR
Geheue grootte : 512Mb (32M x 16)
Klokfrekwensie : 200MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 700ps
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 2.3V ~ 2.7V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 105°C (TC)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Verskaffer toestelpakket : 66-TSOP II

U mag ook belangstel in
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W9864G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-09

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz

  • W29N02GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 1.8V x 16bit