GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25S512MDBIGY

KEY Part #: K938088

GD25S512MDBIGY Pryse (USD) [19116stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.39712

Onderdeel nommer:
GD25S512MDBIGY
vervaardiger:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gedetailleerde beskrywing:
NOR FLASH.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Interface - analoog skakelaars, multiplexers, demu, Dataverwerwing - digitale potensiometers, Koppelvlak - Telecom, Klok / tydsberekening - programmeerbare timers en , Klok / tydsberekening - Intydse horlosies, PMIC - Laserdrywers, Ingebed - DSP (digitale seinverwerkers) and PMIC - RMS na DC-omskakelaars ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY elektroniese komponente. GD25S512MDBIGY kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir GD25S512MDBIGY het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GD25S512MDBIGY Produkkenmerke

Onderdeel nommer : GD25S512MDBIGY
vervaardiger : GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
beskrywing : NOR FLASH
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NOR
Geheue grootte : 512Mb (64M x 8)
Klokfrekwensie : 104MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 50µs, 2.4ms
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : SPI - Quad I/O
Spanning - Toevoer : 2.7V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 24-TBGA
Verskaffer toestelpakket : 24-TFBGA (6x8)
U mag ook belangstel in
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor