Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16MD1A-5BIN

KEY Part #: K938220

AS4C64M16MD1A-5BIN Pryse (USD) [19607stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.33705

Onderdeel nommer:
AS4C64M16MD1A-5BIN
vervaardiger:
Alliance Memory, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA. DRAM 1G 1.8V 64M x 16 Mobile DDR I-Temp
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Dataverkryging - Analoog na digitale omskakelaars , Lineêre - Versterkers - Instrumentasie, OP-verster, PMIC - AC DC-omskakelaars, offline-skakelaars, Koppelvlak - UARTs (universele asynchrone ontvange, PMIC - Motordrywers, beheerders, PMIC - termiese bestuur, Dataverwerwing - ADC's / DAC's - Spesiale doel and Embedded - PLD's (programmeerbare logiese apparaat ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1A-5BIN elektroniese komponente. AS4C64M16MD1A-5BIN kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir AS4C64M16MD1A-5BIN het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16MD1A-5BIN Produkkenmerke

Onderdeel nommer : AS4C64M16MD1A-5BIN
vervaardiger : Alliance Memory, Inc.
beskrywing : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Geheue grootte : 1Gb (64M x 16)
Klokfrekwensie : 200MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 5ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.95V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 60-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 60-FBGA (9x8)

U mag ook belangstel in
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C