Vishay Siliconix - SIHFS11N50A-GE3

KEY Part #: K6392972

SIHFS11N50A-GE3 Pryse (USD) [85099stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.45948

Onderdeel nommer:
SIHFS11N50A-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 500V 11A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - gelykriglyne, Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, Diodes - Zener - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET'e - Enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, vooraf-be, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Diodes - gelykrigters - skikkings and Diodes - RF ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SIHFS11N50A-GE3 elektroniese komponente. SIHFS11N50A-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SIHFS11N50A-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFS11N50A-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SIHFS11N50A-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET N-CH 500V 11A TO263
reeks : -
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 500V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±30V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 1423pF @ 25V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 170W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Surface Mount
Verskaffer toestelpakket : TO-263 (D²Pak)
Pakket / saak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

U mag ook belangstel in