ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-3DBLI-TR

KEY Part #: K938097

IS43DR16320D-3DBLI-TR Pryse (USD) [19211stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.85382
  • 2,500 pcs$2.83962

Onderdeel nommer:
IS43DR16320D-3DBLI-TR
vervaardiger:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Lineêre - Versterkers - Instrumentasie, OP-verster, PMIC - OF beheerders, ideale diodes, PMIC - Skakelaars vir kragverspreiding, laai drywe, Klok / tydsberekening - IC-batterye, PMIC - energiemeting, Ingebed - Mikrobeheerders - spesifieke toepassings, Dataverwerwing - aanraakskermbeheerders and Koppelvlak - seinbuffers, herhalers, splitsers ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR elektroniese komponente. IS43DR16320D-3DBLI-TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IS43DR16320D-3DBLI-TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-3DBLI-TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IS43DR16320D-3DBLI-TR
vervaardiger : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
beskrywing : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM - DDR2
Geheue grootte : 512Mb (32M x 16)
Klokfrekwensie : 333MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 15ns
Toegangstyd : 450ps
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 1.7V ~ 1.9V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 84-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 84-TWBGA (8x12.5)

U mag ook belangstel in
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)