Taiwan Semiconductor Corporation - S4M M6G

KEY Part #: K6457652

S4M M6G Pryse (USD) [604455stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.06119

Onderdeel nommer:
S4M M6G
vervaardiger:
Taiwan Semiconductor Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE GEN PURP 4A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - Zener - Enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Transistors - VOO's, MOSFET's - skikkings, Tyristors - TRIAC's, Diodes - gelykrigters - enkel, Diodes - Veranderlike kapasiteit (Varicaps, Varact and Tyristors - SCR's - modules ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6G elektroniese komponente. S4M M6G kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir S4M M6G het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S4M M6G Produkkenmerke

Onderdeel nommer : S4M M6G
vervaardiger : Taiwan Semiconductor Corporation
beskrywing : DIODE GEN PURP 4A DO214AB
reeks : -
Deelstatus : Not For New Designs
Diode tipe : Standard
Spanning - DC Reverse (Vr) (Max) : -
Huidige - Gemiddelde gelyk (Io) : 4A
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.15V @ 4A
spoed : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Omgekeerde hersteltyd (trr) : 1.5µs
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 100µA @ 1000V
Kapasiteit @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : DO-214AB, SMC
Verskaffer toestelpakket : DO-214AB (SMC)
Bedryfstemperatuur - aansluiting : -55°C ~ 150°C

U mag ook belangstel in
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM