IXYS - IXFH9N80Q

KEY Part #: K6416098

IXFH9N80Q Pryse (USD) [12099stuks Voorraad]

  • 1 pcs$3.76527
  • 30 pcs$3.74654

Onderdeel nommer:
IXFH9N80Q
vervaardiger:
IXYS
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - JFET's, Kragbestuurder-modules, Diodes - Zener - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET'e - Enkel, Transistors - Spesiale doel, Tyristors - SCR's - modules, Diodes - gelykriglyne and Transistors - Bipolêr (BJT) - RF ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in IXYS IXFH9N80Q elektroniese komponente. IXFH9N80Q kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir IXFH9N80Q het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH9N80Q Produkkenmerke

Onderdeel nommer : IXFH9N80Q
vervaardiger : IXYS
beskrywing : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
reeks : HiPerFET™
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 800V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±20V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 180W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Through Hole
Verskaffer toestelpakket : TO-247AD (IXFH)
Pakket / saak : TO-247-3

U mag ook belangstel in