Vishay Siliconix - SIHA2N80E-GE3

KEY Part #: K6419347

SIHA2N80E-GE3 Pryse (USD) [106720stuks Voorraad]

  • 1 pcs$0.34658

Onderdeel nommer:
SIHA2N80E-GE3
vervaardiger:
Vishay Siliconix
Gedetailleerde beskrywing:
MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - Spesiale doel, Diodes - Zener - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET's - skikkings, Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, Transistors - IGBT's - Enkel, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, vooraf-be, Tyristors - TRIAC's and Transistors - JFET's ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3 elektroniese komponente. SIHA2N80E-GE3 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir SIHA2N80E-GE3 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA2N80E-GE3 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : SIHA2N80E-GE3
vervaardiger : Vishay Siliconix
beskrywing : MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
reeks : E
Deelstatus : Active
VOO-tipe : N-Channel
tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 800V
Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (maksimum) : ±30V
Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
VOO-funksie : -
Kragdissipasie (maksimum) : 29W (Tc)
Werkstemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstipe : Through Hole
Verskaffer toestelpakket : TO-220 Full Pack
Pakket / saak : TO-220-3 Full Pack

U mag ook belangstel in