Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR

KEY Part #: K937826

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR Pryse (USD) [18200stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.75043
  • 1,000 pcs$2.73675

Onderdeel nommer:
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
vervaardiger:
Micron Technology Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Lineêr - Versterkers - Klank, Logika - Vertalers, vlakverskuiwers, Logika - Buffers, drywers, ontvangers, sender / on, Logika - Universele busfunksies, Logika - Skuifregisters, Lineêr - Vergelykers, Lineêre - Versterkers - Instrumentasie, OP-verster and IC Chips ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR elektroniese komponente. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR Produkkenmerke

Onderdeel nommer : MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
vervaardiger : Micron Technology Inc.
beskrywing : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Non-Volatile
Geheue-formaat : FLASH
tegnologie : FLASH - NAND
Geheue grootte : 2Gb (256M x 8)
Klokfrekwensie : -
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : -
Toegangstyd : -
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 2.7V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 105°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 63-VFBGA
Verskaffer toestelpakket : 63-VFBGA (9x11)

U mag ook belangstel in
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C