Alliance Memory, Inc. - AS4C2M32S-6BIN

KEY Part #: K938185

AS4C2M32S-6BIN Pryse (USD) [19471stuks Voorraad]

  • 1 pcs$2.26079
  • 10 pcs$2.06512
  • 25 pcs$2.02563
  • 50 pcs$2.01171
  • 100 pcs$1.80467
  • 250 pcs$1.79772
  • 500 pcs$1.68551
  • 1,000 pcs$1.61379

Onderdeel nommer:
AS4C2M32S-6BIN
vervaardiger:
Alliance Memory, Inc.
Gedetailleerde beskrywing:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 3.3V, 2M x 32 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Koppelvlak - I / O-uitbreidings, Logika - tellers, verdelers, PMIC - Spanningsreguleerders - Lineêr + skakel, PMIC - volledige, halfbrug bestuurders, Interface - Serializers, Deserializers, Klok / tydsberekening - programmeerbare timers en , Koppelvlak - seinbuffers, herhalers, splitsers and Geheue - batterye ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BIN elektroniese komponente. AS4C2M32S-6BIN kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir AS4C2M32S-6BIN het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C2M32S-6BIN Produkkenmerke

Onderdeel nommer : AS4C2M32S-6BIN
vervaardiger : Alliance Memory, Inc.
beskrywing : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
reeks : -
Deelstatus : Active
Geheue tipe : Volatile
Geheue-formaat : DRAM
tegnologie : SDRAM
Geheue grootte : 64Mb (2M x 32)
Klokfrekwensie : 166MHz
Skryf siklus tyd - Woord, bladsy : 2ns
Toegangstyd : 5.4ns
Geheue-koppelvlak : Parallel
Spanning - Toevoer : 3V ~ 3.6V
Werkstemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : 90-TFBGA
Verskaffer toestelpakket : 90-TFBGA (8x13)

U mag ook belangstel in
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)