Microsemi Corporation - JANS1N4105UR-1

KEY Part #: K6479711

JANS1N4105UR-1 Pryse (USD) [974stuks Voorraad]

  • 1 pcs$80.73534
  • 10 pcs$75.45656
  • 25 pcs$72.81832

Onderdeel nommer:
JANS1N4105UR-1
vervaardiger:
Microsemi Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA.
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Tyristors - DIAC's, SIDAC's, Diodes - gelykrigters - skikkings, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Diodes - Zener - Arrays, Tyristors - SCR's - modules, Transistors - Bipolêr (BJT) - Enkel, voor-bevooroo, Diodes - gelykriglyne and Transistors - IGBT's - modules ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Microsemi Corporation JANS1N4105UR-1 elektroniese komponente. JANS1N4105UR-1 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir JANS1N4105UR-1 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N4105UR-1 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : JANS1N4105UR-1
vervaardiger : Microsemi Corporation
beskrywing : DIODE ZENER 11V 500MW DO213AA
reeks : -
Deelstatus : Active
Spanning - Zener (Nom) (Vz) : 11V
Verdraagsaamheid : ±5%
Krag - Maks : 500mW
Impedansie (Max) (Zzt) : 200 Ohms
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 50nA @ 8.5V
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.1V @ 200mA
Werkstemperatuur : -65°C ~ 175°C
Monteringstipe : Surface Mount
Pakket / saak : DO-213AA
Verskaffer toestelpakket : DO-213AA

U mag ook belangstel in
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA