Microsemi Corporation - JAN1N5417

KEY Part #: K6440350

JAN1N5417 Pryse (USD) [6604stuks Voorraad]

  • 1 pcs$5.15178
  • 10 pcs$4.63572
  • 25 pcs$4.22349
  • 100 pcs$3.81153
  • 250 pcs$3.50247
  • 500 pcs$3.19343

Onderdeel nommer:
JAN1N5417
vervaardiger:
Microsemi Corporation
Gedetailleerde beskrywing:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 200V
Manufacturer's standard lead time:
In voorraad
Raklewe:
Een jaar
Chip van:
Hong Kong
RoHS:
Betalings metode:
Gestuur manier:
Gesinskategorieë:
KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - gelykrigters - skikkings, Diodes - Veranderlike kapasiteit (Varicaps, Varact, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Kragbestuurder-modules, Transistors - VOO's, MOSFET's - skikkings, Diodes - RF, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF and Diodes - gelykriglyne ...
Kompeterende voordeel:
Ons spesialiseer in Microsemi Corporation JAN1N5417 elektroniese komponente. JAN1N5417 kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir JAN1N5417 het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417 Produkkenmerke

Onderdeel nommer : JAN1N5417
vervaardiger : Microsemi Corporation
beskrywing : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
reeks : Military, MIL-PRF-19500/411
Deelstatus : Active
Diode tipe : Standard
Spanning - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Huidige - Gemiddelde gelyk (Io) : 3A
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As : 1.5V @ 9A
spoed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Omgekeerde hersteltyd (trr) : 150ns
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr : 1µA @ 200V
Kapasiteit @ Vr, F : -
Monteringstipe : Through Hole
Pakket / saak : B, Axial
Verskaffer toestelpakket : -
Bedryfstemperatuur - aansluiting : -65°C ~ 175°C

U mag ook belangstel in
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM