Microsemi Corporation - APTM100DA40T1G

KEY Part #: K6408133

[732stuks Voorraad]


    Onderdeel nommer:
    APTM100DA40T1G
    vervaardiger:
    Microsemi Corporation
    Gedetailleerde beskrywing:
    MOSFET N-CH 1000V 20A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    In voorraad
    Raklewe:
    Een jaar
    Chip van:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalings metode:
    Gestuur manier:
    Gesinskategorieë:
    KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Diodes - RF, Transistors - IGBT's - modules, Transistors - JFET's, Transistors - Bipolêr (BJT) - Skikkings, Diodes - gelykrigters - skikkings, Diodes - gelykrigters - enkel, Diodes - gelykriglyne and Transistors - programmeerbare eenheid ...
    Kompeterende voordeel:
    Ons spesialiseer in Microsemi Corporation APTM100DA40T1G elektroniese komponente. APTM100DA40T1G kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir APTM100DA40T1G het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100DA40T1G Produkkenmerke

    Onderdeel nommer : APTM100DA40T1G
    vervaardiger : Microsemi Corporation
    beskrywing : MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
    reeks : -
    Deelstatus : Obsolete
    VOO-tipe : N-Channel
    tegnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Dreineer na die bronspanning (Vdss) : 1000V
    Stroom - Deurlopende dreinering (id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
    Aandrywing Spanning (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 480 mOhm @ 16A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Heklading (Vg) (Maks) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (maksimum) : ±30V
    Invoerkapasiteit (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
    VOO-funksie : -
    Kragdissipasie (maksimum) : 357W (Tc)
    Werkstemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstipe : Chassis Mount
    Verskaffer toestelpakket : SP1
    Pakket / saak : SP1

    U mag ook belangstel in