BAS316,H3F Pryse (USD) [3056256stuks Voorraad]
- 1 pcs$0.01210
- Onderdeel nommer:
- BAS316,H3F
- vervaardiger:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Gedetailleerde beskrywing:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Manufacturer's standard lead time:
- In voorraad
- Raklewe:
- Een jaar
- Chip van:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalings metode:
-
- Gestuur manier:
- Gesinskategorieë:
- KEY Components Co, LTD is 'n verspreider van elektroniese komponente wat produkkategorieë insluitend: Transistors - IGBT's - Enkel, Transistors - VOO's, MOSFET'e - RF, Tyristors - TRIAC's, Transistors - Bipolêr (BJT) - RF, Diodes - Zener - Arrays, Tyristors - SCR's - modules, Transistors - Spesiale doel and Transistors - IGBT's - modules ...
- Kompeterende voordeel:
- Ons spesialiseer in Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F elektroniese komponente. BAS316,H3F kan binne 24 uur na bestelling gestuur word. Indien u enige eise vir BAS316,H3F het, moet u 'n kwotasieversoek hier of stuur vir ons 'n e-pos: rfq@key-components.com
BAS316,H3F Produkkenmerke
Onderdeel nommer :
BAS316,H3F
vervaardiger :
Toshiba Semiconductor and Storage
beskrywing :
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
reeks :
-
Deelstatus :
Active
Diode tipe :
Standard
Spanning - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Huidige - Gemiddelde gelyk (Io) :
250mA
Spanning - vorentoe (Vf) (Max) @ As :
1.25V @ 150mA
spoed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Omgekeerde hersteltyd (trr) :
3ns
Stroom - omgekeerde lekkasie @ Vr :
200nA @ 80V
Kapasiteit @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Monteringstipe :
Surface Mount
Pakket / saak :
SC-76, SOD-323
Verskaffer toestelpakket :
USC
Bedryfstemperatuur - aansluiting :
150°C (Max)
Jongste nuus
U mag ook belangstel in
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Warm onderdele
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08